Contribution à la modélisation électrothermique: Elaboration d’un modèle électrique thermosensible du transistor MOS de puissance PDF

Cette recherche vise à examiner les éléments du leadership du changement social, construire et développer le leadership pour le changement social, et évaluer l’efficacité du modèle de développement du leadership pour le changement social.


Dans ce mémoire de thèse, nous proposons une méthodologie de modélisation électrique prenant en compte les effets de la température sur les phénomènes localisés qui initient une défaillance souvent fatale. En prévision de la simulation électrothermique couplée impliquant des transistors MOS de puissance, un modèle électrique thermosensible de ce composant et de sa diode structurelle a été développé. Une attention particulière a été accordée à l’étude des phénomènes parasites qui pourraient survenir de manière très localisée suite à une répartition inhomogène de la température et à l’apparition de points chauds. Ainsi les fonctionnements limites en avalanche, avec le déclenchement du transistor bipolaire parasite et de son retournement ont été modélisés. Des bancs spécifiques pour la validation du modèle pour les régimes extrêmes ont été utilisés en prenant des précautions liées à la haute température. Enfin, Le modèle électrique thermosensible complet développé a été utilisé par la société Epsilon ingénierie pour faire des simulations électrothermiques du MOS de puissance en mode d’avalanche en adaptant le logiciel Epsilon-R3D.

Sur le côté gauche, Vm de l’onduleur augmente en raison de. Il a été montré que la précision du modèle résultant dépend fortement de la réalité. De nombreuses expériences pour un état stable similaire, le changement d’échelon dans les essais de vitesse de cisaillement, les rampes de contrainte de cisaillement ont été effectuées, conduisant à des alliages semi-solides présentant un amincissement au cisaillement, un comportement thixotrope et une limite d’élasticité.-}